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M93S46-WMN6TP实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

M93S46-WMN6TP

带写保护功能的串行MICROWIRE总线EEPROM

描述
1-Kbit MICROWIRE串行存取EEPROM，具有块保护
品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
M93S46-WMN6TP
商品编号
C2060941
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型-
存储容量4Kbit
时钟频率(fc)2MHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)200年
写周期寿命400万次
属性参数值
功能特性内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能
工作电压2.5V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
工作电流2mA
待机电流10uA
读取访问时间(tA)-

商品概述

M93S46、M93S56、M93S66是电可擦可编程存储器（EEPROM），分别组织为64、128或256字（每个字16位），通过MICROWIRE总线访问。这些设备的工作电压范围为2.5V至5.5V，环境温度范围为-40℃至+85℃。

商品特性

  • 兼容MICROWIRE总线串行接口
  • 存储阵列：1Kbit、2Kbit或4Kbit EEPROM，按字（16位）组织，页为4字
  • 写入特性：字节写入时间在5ms内，页写入时间在5ms内，编程期间提供就绪/忙信号
  • 支持用户定义的写保护区域
  • 高速时钟可达2MHz
  • 单电源电压范围：2.5V至5.5V
  • 工作温度范围：-40℃至+85℃
  • 增强型ESD保护
  • 写入周期超过400万次
  • 数据保留时间超过200年
  • 提供PDIP8（BN）、TSSOP8（DW）、SO8（MN）等封装类型
  • 串行数据输出（Q）在串行时钟（C）上升沿输出数据
  • 串行数据输入（D）接收指令、地址和写入数据，在串行时钟（C）上升沿锁存
  • 串行时钟（C）为串行接口提供时序
  • 芯片选择（S）低电平时设备处于 deselected 状态且串行数据输出（Q）为高阻抗，高电平时激活设备

数据手册PDF

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