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MT53E1G32D2FW-046 AIT:C引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT53E1G32D2FW-046 AIT:C

汽车级LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
特性：超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V；标称值1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V；标称值1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V；标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值1.10V
品牌名称
micron(美光)
商品型号
MT53E1G32D2FW-046 AIT:C
商品编号
C20169605
商品封装
TFBGA-200(10x14.5)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.517克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量32Gbit
工作电压1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流-
刷新电流-
工作温度-40℃~+95℃
功能特性写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能

商品特性

  • 本数据手册规定了统一LPDDR4与LPDDR4X产品的操作，并首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的具体要求。
  • 超低电压核心与输入/输出电源供应
  • VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称1.80 V
  • VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称1.10 V
  • VDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称0.60 V，或VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称1.10 V
  • 频率范围：2133-10兆赫兹（每引脚数据速率范围：4266-20兆比特/秒）
  • 16n预取双倍数据速率架构
  • 每通道8个内部存储体，支持并发操作
  • 单数据速率命令/地址输入
  • 每字节通道双向/差分数据选通
  • 可编程读取与写入延迟
  • 可编程及动态突发长度
  • 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作与命令调度
  • 每通道最高8.5 GB/s
  • 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
  • 部分阵列自刷新
  • 可选输出驱动强度
  • 时钟停止能力
  • 符合RoHS标准的环保封装
  • 可编程VSS终端电阻
  • 支持单端时钟与数据选通

数据手册PDF

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