- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR
汽车级 LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR
- 商品编号
- C20169617
- 商品封装
- TFBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压内核和输入/输出电源供应
- VDD1 = 1.70 ~ 1.95 V；标称值 1.80 V
- VDD2 = 1.06 ~ 1.17 V；标称值 1.10 V
- VDDQ = 0.57 ~ 0.65 V；标称值 0.60 V 或 VDDQ = 1.06 ~ 1.17 V；标称值 1.10 V
- 频率范围：2133 ~ 10 MHz（每引脚数据速率范围：4266 ~ 20 Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单倍数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟
- 可编程和动态突发长度
- 定向按存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片x16通道最高可达8.5 GB/s
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选的输出驱动强度
- 时钟停止功能
- 符合RoHS标准、'绿色'封装
- 可编程VSS（ODT）端接
- 支持单端时钟和数据选通
- 阵列配置：512兆 x 32（2通道 x 16输入/输出）或1吉 x 32（2通道 x 16输入/输出）
- 器件配置：封装D1中包含1个512M32芯片，封装D2中包含2个512M32芯片
- FBGA '绿色'封装：200球TFBGA（尺寸10mm × 14.5mm × ZW 1.05mm，球径0.40mm SMD）或200球TFBGA（尺寸10mm × 14.5mm × FW 1.1mm，球径0.40mm SMD）
- 速度等级、周期时间：468ps @ RL = 36/40
- 特殊选项：替代基板
- 标准：汽车A级、AEC-Q100、PPAP
- 工作温度范围：-40°C ~ +95°C IT、-40°C ~ +105°C AT、-40°C ~ +125°C UT
- 修订版本：B