Name: micron(美光) MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR
Brand: micron(美光)
SKU: C20169615
Price: 92.7 CNY
Availability: OutOfStock

超低电压内核和输入/输出电源供应
VDD1 = 1.70 ~ 1.95 V；标称值 1.80 V
VDD2 = 1.06 ~ 1.17 V；标称值 1.10 V
VDDQ = 0.57 ~ 0.65 V；标称值 0.60 V 或 VDDQ = 1.06 ~ 1.17 V；标称值 1.10 V
频率范围：2133 ~ 10 MHz（每引脚数据速率范围：4266 ~ 20 Mb/s）
16n预取DDR架构
每个通道8个内部存储体，支持并发操作
单倍数据速率命令/地址输入
每个字节通道支持双向/差分数据选通
可编程的读取和写入延迟
可编程和动态突发长度
定向按存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
每芯片x16通道最高可达8.5 GB/s
片上温度传感器用于控制自刷新速率
部分阵列自刷新
可选的输出驱动强度
时钟停止功能
符合RoHS标准、'绿色'封装
可编程VSS（ODT）端接
支持单端时钟和数据选通
阵列配置：512兆 x 32（2通道 x 16输入/输出）或1吉 x 32（2通道 x 16输入/输出）
器件配置：封装D1中包含1个512M32芯片，封装D2中包含2个512M32芯片
FBGA '绿色'封装：200球TFBGA（尺寸10mm × 14.5mm × ZW 1.05mm，球径0.40mm SMD）或200球TFBGA（尺寸10mm × 14.5mm × FW 1.1mm，球径0.40mm SMD）
速度等级、周期时间：468ps @ RL = 36/40
特殊选项：替代基板
标准：汽车A级、AEC-Q100、PPAP
工作温度范围：-40°C ~ +95°C IT、-40°C ~ +105°C AT、-40°C ~ +125°C UT
修订版本：B

	属性	参数值
	工作电流	34mA
	刷新电流	2mA
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能

MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR

商品参数