- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B
汽车LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B
- 商品编号
- C20169614
- 商品封装
- TFBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 34mA | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心和I/O电源供应
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称1.10 V
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称1.10 V
- 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体，用于并发操作
- 单数据率CMD/ADR输入
- 每字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读写延迟（RL/WL）
- 可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
- 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片x16通道高达8.5 GB/s
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止能力
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程VSS（ODT）终端
- 单端CK和DQS支持
- MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR
- MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B
- MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR
- MT53E512M32D2FW-046 AUT:D
- MT53E768M32D4DE-046 WT:E
- MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR
- MTFC128GAZAQJP-AAT
- MTFC128GAZAQJP-AAT TR
- MTFC64GAZAQHD-AAT TR
- 0105100000
- 0117900000
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