- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E1G32D2FW-046 AUT:C
x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
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- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT53E1G32D2FW-046 AUT:C
- 商品编号
- C20169607
- 商品封装
- TFBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 90mA | |
| 刷新电流 | 4mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD1 = 1.70 ~ 1.95 V；标称1.80 V
- VDD2 = 1.06 ~ 1.17 V；标称1.10 V
- VDDQ = 1.06 ~ 1.17 V；标称1.10 V，或低VDDQ = 0.57 ~ 0.65 V；标称0.60 V
- 超低电压核心与输入/输出电源
- 频率范围：2133 ~ 10 MHz（数据速率范围：每引脚4266 ~ 20 Mb/s）
- 16n预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程的读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度（BL = 16， 32）
- 支持定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片最高8.5 GB/s带宽
- 集成片上温度传感器以控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 支持时钟停止功能
- 符合RoHS标准的环保封装
- 可编程VSS端接
- 支持单端时钟与数据选通
- 改进的tRFCab / tRFCpb = 280 ns / 140 ns
- 符合AEC-Q100标准
- 工作温度范围：-40℃ 至 +95℃；-40℃ 至 +105℃ AT；-40℃ 至 +125℃ UT
- MT53E1G32D2FW-046 AUT:C TR
- MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B
- MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR
- MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B
- MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR
- MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B
- MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR
- MT53E1G32D2NP-046 WT:B
- MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR
- MT53E512M32D2FW-046 AUT:D
- MT53E768M32D4DE-046 WT:E
- MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR
- MTFC128GAZAQJP-AAT
- MTFC128GAZAQJP-AAT TR
- MTFC64GAZAQHD-AAT TR
- 0105100000
- 0117900000
- 0117960000
- 0117980000
- 0126260000
- 0128900000