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RF4P025ATTCR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 高功率小封装。
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。
- 无卤。
- 静电放电（ESD）保护高达 200V（机器模型，MM）。
- 静电放电（ESD）保护高达 2kV（人体模型，HBM）。
- 晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）
应用领域
- 开关电路
- 单节电池应用
- 移动设备应用