- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RX3P12BATC16
P沟道功率MOSFET，低导通电阻、高功率小封装、无铅镀层、符合RoHS标准、100% UIS测试
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RX3P12BATC16
- 商品编号
- C20109391
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 201W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 385nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 16.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 670pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小外形封装(TO220AB)
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 开关应用