- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 181W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 630pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装（TO220AB）
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 100%进行Rg和UIS测试
- 无卤
应用领域
- 开关