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UT6KE5TCR
N沟道+N沟道功率MOSFET，低导通电阻，小尺寸表面贴装封装，无铅镀层，符合RoHS标准，无卤
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- UT6KE5TCR
- 商品编号
- C20110264
- 商品封装
- DFN2020-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.519克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 207mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 90pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 开关
- DC/DC 转换器