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UT6MC5TCR
60V N沟道+P沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 小尺寸表面贴装封装。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- UT6MC5TCR
- 商品编号
- C20110266
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V；6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 265pF；135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF；6pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF；18pF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 小型表面贴装封装。
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。
- 无卤素。
应用领域
- 开关