- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RQ6P020ATTCR
P沟道功率MOSFET，低导通电阻、高功率小封装、无铅镀层、无卤且经过测试
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ6P020ATTCR
- 商品编号
- C20109362
- 商品封装
- SOT-457T
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装 (TSMT6)
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 开关应用
- 负载开关
- SOT-457T
- SC-95
- TSMT6