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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装 (HSMT8)
- 无铅电镀;符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 开关应用