商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
商品概述
这款先进的功率MOSFET集成了单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供静电放电（ESD）和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。该器件专为对功率效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 典型输出功率20 dBm
- 在12 GHz时典型功率增益为13.5 dB
- 低相位噪声
- 0.3×200微米凹栅
应用领域
-商业应用-测试与测量