商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
商品概述
这款先进的功率MOSFET集成了单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供静电放电（ESD）和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。该器件专为对功率效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 提供无铅封装
- 齐纳保护栅极可提供静电放电保护
- 设计可承受4000V人体模型静电放电
- 超低导通电阻RDS(on)可提高效率并延长电池续航
- 逻辑电平栅极驱动 - 可由逻辑IC驱动
- Micro8无引脚表面贴装封装 - 节省电路板空间
- 规定了高温下的IDSS
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理