商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
商品概述
BeRex BCP020C - 70是一款采用行业标准70密耳陶瓷Micro - X低寄生表面贴装封装的砷化镓（GaAs）功率假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）。其0.25μm×200μm的凹槽栅极结构可在1000 MHz至26 GHz的宽频率范围内实现低噪声、高增益和出色的功率附加效率（PAE）。
商品特性
- 典型输出功率30.5 dBm
- 在12 GHz时典型增益为11 dB
- 0.25×1200微米凹槽栅极
应用领域
-商业应用-测试与测量
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