商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
商品概述
BeRex BCP040C是一款砷化镓（GaAs）功率赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT），其栅极标称尺寸为0.25微米×400微米，非常适合在直流至26.5 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该产品可用于宽带（6 - 18 GHz）或窄带应用。BCP040C采用先进的金属化工艺和氮化硅（Si3N4）钝化技术制造，并经过筛选以确保可靠性。
商品特性
- 典型输出功率25.5 dBm
- 在12 GHz时典型增益为13.5 dB
- 0.25×400微米凹槽栅极
应用领域
- 商业应用-测试与测量