商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步整流MOSFET（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 17 A时，最大rDS(on) = 5.0 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 14 A时，最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 32 A时，最大rDS(on) = 1.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 28 A时，最大rDS(on) = 2.0 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域-通信领域-通用负载点应用