BCF040T

该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步整流MOSFET（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。

• 典型输出功率23.0 dBm
• 在12 GHz时典型功率增益为13 dB
• 低相位噪声
• 0.3×400微米凹栅

-商业应用-测试与测量