BCP020C-70
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 295mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
商品概述
BeRex BCP020C - 70是一款采用行业标准70密耳陶瓷Micro - X低寄生表面贴装封装的砷化镓(GaAs)功率假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)。其0.25μm×200μm的凹槽栅极结构可在1000 MHz至26 GHz的宽频率范围内实现低噪声、高增益和出色的功率附加效率(PAE)。
商品特性
- 70密耳表面贴装陶瓷封装
- 在12 GHz时,P1dB为21.5 dBm(典型值)
- 在12 GHz时,功率增益为12 dB(典型值)
- 符合RoHS标准/无铅
应用领域
- 商业应用