BCP020C-70
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 295mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@200uA |
商品概述
BeRex BCL016B是一款砷化镓（GaAs）超低噪声赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT），其标称栅长为0.15微米，栅宽为160微米，非常适合需要极低噪声和高相关增益的应用。BCL016B为宽带应用提供高插入增益和低噪声系数。BCL016B采用先进的金属化工艺和氮化硅（Si₃N₄）钝化技术制造，并经过筛选以确保可靠性。
商品特性
- 在12 GHz时典型噪声系数低至0.4 dB
- 在12 GHz时典型相关增益高达13.5 dB
- 最大输入功率（Pin）高达20 dBm
- 0.15×160微米凹槽栅
应用领域
- 商业领域-测试与测量