NSBA115EDXV6T1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电阻 | 100kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。在NSBA114EDXV6T1系列中，两个BRT器件封装在SOT - 563封装中，该封装非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-这些是无铅器件