温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 969pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准