商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,从而省去了这些组件。在UMC2NT1系列中,两个互补的BRT器件封装在SOT - 353封装中,这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用来说是理想的选择。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- 提供8 mm、7英寸/3000个的卷带包装
- 提供无铅封装
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