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NTMFS4C910NBT1G引脚图
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NTMFS4C910NBT1G

NTMFS4C910NBT1G

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS4C910NBT1G
商品编号
C20047236
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)46A
导通电阻(RDS(on))4.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)23.6W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.7nC
输入电容(Ciss)987pF
反向传输电容(Crss)162pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)574pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低 RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低电容,以最小化驱动损耗
  • 优化栅极电荷,以最小化开关损耗
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准

应用领域

  • CPU 电源供应
  • DC-DC 转换器

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