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NTMFD1D6N03P8
NTMFD1D6N03P8
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD1D6N03P8
- 商品编号
- C20047225
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 109A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.695nF |
商品概述
BeRex BCL015是一款采用行业标准裸片封装的砷化镓（GaAs）超低噪声增强型赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）。其0.15μm×150μm的凹槽栅结构在1000 MHz至26 GHz的宽频率范围内提供低噪声和高相关增益。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 17 A时,最大rDS(on) = 5.0 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 14 A时,最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 32 A时,最大rDS(on) = 1.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 28 A时,最大rDS(on) = 2.0 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准
应用领域
-计算领域-通信领域-通用负载点应用