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FGY100T120RWD
N沟道场截止型II代绝缘栅双极晶体管（IGBT）
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- 描述
- 使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管，采用TO247 3引脚封装，可提供最佳性能，具有低传导损耗和良好的开关可控性，适用于各种应用中的高效运行，如电机控制、UPS、数据中心和高功率开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGY100T120RWD
- 商品编号
- C20047183
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 1.071kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.9V@100mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 427nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 12.2nF | |
| 输出电容(Coes) | 392pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 44.2pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 80ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 364ns | |
| 导通损耗(Eon) | 8.13mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 7.05mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 256ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- FGY75T120SWD
- NXH400N100L4Q2F2SG
- KSP92ATA
- MMSZS5232BT1G
- NCP4318ALFPDR2G
- NCP4318ALGPDR2G
- NCS35011DTBR2G
- NTMFD1D6N03P8
- NTMFS4C805NT1G
- NTMFS4C905NAT3G
- NTMFS4C906NBT1G
- NTMFS4C908NAT3G
- NTMFS4C910NAT3G
- NTMFS4C910NBT1G
- NTMFS4C922NAT3G
- NVMJD012N04CLTWG
- NVMJD015N04CLTWG
- NVMJD2D7N04CLTWG
- NVMJD3D0N04CTWG
- NVMJD4D7N04CLTWG
- NVMJD5D4N04CTWG