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FGY75T120SWD
N沟道，场截止VII（FS7）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
- 描述
- 使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管，采用TO247-3引脚封装，可在太阳能、UPS和ESS等各种应用中实现高效运行，具有低开关和传导损耗的最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGY75T120SWD
- 商品编号
- C20047184
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.466667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 714W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.6V@75mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 214nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.331nF | |
| 输出电容(Coes) | 234pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 29.6pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 42ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 171ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.32mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 204ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- NXH400N100L4Q2F2SG
- KSP92ATA
- MMSZS5232BT1G
- NCP4318ALFPDR2G
- NCP4318ALGPDR2G
- NCS35011DTBR2G
- NTMFD1D6N03P8
- NTMFS4C805NT1G
- NTMFS4C905NAT3G
- NTMFS4C906NBT1G
- NTMFS4C908NAT3G
- NTMFS4C910NAT3G
- NTMFS4C910NBT1G
- NTMFS4C922NAT3G
- NVMJD012N04CLTWG
- NVMJD015N04CLTWG
- NVMJD2D7N04CLTWG
- NVMJD3D0N04CTWG
- NVMJD4D7N04CLTWG
- NVMJD5D4N04CTWG
- SBRS8190NT3G-IR02