- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 515mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计而成。其成果是在需要卓越功率密度和高效率的应用中,实现了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 全球最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 全球最佳的品质因数(FOM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 反激式转换器
- 平板电脑、笔记本电脑和一体机适配器
- LED 照明