温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计而成。其成果是在需要卓越功率密度和高效率的应用中,实现了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 全球最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 全球最佳的品质因数(FOM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 反激式转换器
- 平板电脑、笔记本电脑和一体机适配器
- LED 照明
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这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计而成。其成果是在需要卓越功率密度和高效率的应用中,实现了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。