STP80N600K6

这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它在降低内部电容和栅极电荷的同时，确保极低的导通电阻，以实现更快、更高效的开关性能。

• 全球最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
• 全球最佳的品质因数(FOM)
• 超低栅极电荷
• 100% 雪崩测试
• 齐纳保护

• 反激式转换器
• 平板电脑、笔记本电脑和一体机适配器
• LED 照明