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STWA65N023M9

N沟道650 V、典型值19.9 mΩ、95 A的MDmesh M9功率MOSFET

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描述: 这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh M9技术，适用于每单位面积具有极低导通电阻（RDS(on)）的中/高压MOSFET。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，该工艺可优化器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中，由此生产的产品具有较低的导通电阻和较低的栅极电荷值，使其特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STWA65N023M9
商品编号: C20033910
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道功率MOSFET基于最先进的超结MDmesh M9技术，适用于中/高压MOSFET，具有单位面积极低的导通态漏源电阻（RDS(on)）。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可优化器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中，该产品的导通电阻较低，栅极电荷值较小，特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。

商品特性

在基于硅的器件中，具有全球最佳的导通态漏源电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）乘积的品质因数（FOM）
更高的漏源击穿电压（VDSS）额定值
更高的dv/dt能力
出色的开关性能
易于驱动
100%雪崩测试

应用领域

高效开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	95A
	导通电阻(RDS(on))	23mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	463W
	阈值电压(Vgs(th))	4.2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	230nC@10V
	输入电容(Ciss)	8.844nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	140pF