温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STWA65N045M9
采用TO-247长引脚封装的N沟道650 V功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh M9技术，适用于中/高压MOSFET，每单位面积具有极低的导通电阻RDS(on)。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可实现增强的器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中，该产品具有较低的导通电阻和较低的栅极电荷值，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA65N045M9
- 商品编号
- C20033911
- 商品封装
- TO-247LONGLEADS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh M9技术，适用于每单位面积导通态漏源电阻极低的中/高压MOSFET。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可优化器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中，该产品的导通电阻和栅极电荷值较低，特别适用于要求高功率密度和卓越效率的应用。
商品特性
- 在基于硅的器件中，具有全球最佳的品质因数（导通态漏源电阻乘以栅极电荷）
- 更高的漏源击穿电压额定值
- 更高的dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关应用