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STW65N023M9-4
采用TO247-4封装的N沟道650 V功率MOSFET
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- 描述
- 这是一款 N 沟道功率 MOSFET，基于创新的超结 MDmesh M9 技术，适用于中/高压 MOSFET，每单位面积的导通电阻 RDS(on) 非常低。基于硅的 M9 技术受益于多漏极制造工艺，可实现增强的器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率 MOSFET 中，该产品具有较低的导通电阻和降低的栅极电荷值，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW65N023M9-4
- 商品编号
- C20033906
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 463W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.844nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 在基于硅的器件中,具备全球最佳的品质因数RDS(on)*Qg
- 更高的VDSS额定值
- 更高的dv/dt能力
- 借助额外的驱动源引脚,实现出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关应用