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STL120N10F8
N沟道 100V 125A
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- 描述
- 此N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它可确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL120N10F8
- 商品编号
- C20033855
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
商品特性
- MSL1等级
- 工作温度175 °C
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用