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TSM60NC196CI

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM60NC196CI
商品编号: C19856155
商品封装: ITO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品概述

这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

商品特性

超结技术
高性能,低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积优值(FOM)
高耐用性
100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻Rg测试
高换向性能
符合ROHS标准
符合IEC 61249-2-21的无卤要求

应用领域

电源
交流/直流LED照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	196mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	70W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	38nC
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道