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TSM650N15CS

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM650N15CS
商品编号: C19856165
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON),以尽量降低传导损耗
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

-以太网供电(POE)-LED照明-电信电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	80mΩ@6V
	耗散功率(Pd)	12.5W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	37nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.783nF
	反向传输电容(Crss)	18pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道