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TSM650P02CX

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM650P02CX
商品编号: C19856166
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.034克(g)

商品参数

商品概述

AP4957A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -8.8A
当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 20mΩ

应用领域

锂电池保护-无线冲击-手机快充

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	4.1A
	导通电阻(RDS(on))	130mΩ@1.8V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	1.56W
	阈值电压(Vgs(th))	800mV@250uA
	栅极电荷量(Qg)	6.4nC@4.5V
	类型	P沟道