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TSM650N15CR

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM650N15CR
商品编号: C19856164
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低漏源导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
低栅极电荷，实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量UIS和栅极电阻Rg测试
符合欧盟RoHS指令2011/65/EU，且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21定义，无卤

应用领域

直流-直流转换器-电池电源管理-或门场效应管/负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	24A
	导通电阻(RDS(on))	80mΩ@6V
	耗散功率(Pd)	96W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	36nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.829nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道