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TSM60NC196CM2 RNG

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM60NC196CM2 RNG
商品编号: C19856157
商品封装: TO-263AB(D2PAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

超结技术
高性能,低 RDS(ON)*Qg 品质因数 (FOM)
高耐用性
100% 进行 UIS 和 Rg 测试
高换向性能
符合 RoHS 标准
根据 IEC 61249-2-21 标准无卤

应用领域

电源
交流/直流 LED 照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	28A
	导通电阻(RDS(on))	196mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	152W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	39nC
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道