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TSM60NB099PW

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM60NB099PW
商品编号: C19856136
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品特性

超结技术
高性能,低 RDS(ON)*Qg 优值(FOM)
高耐用性
100% 进行 UIS 和 Rg 测试
符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU,遵循 WEEE 指令 2002/96/EC
根据 IEC 61249 - 2 - 21 标准无卤

应用领域

功率因数校正(PFC)级
服务器/电信电源
充电站
逆变器
电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	78A
	导通电阻(RDS(on))	41mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	446W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	139nC@10V

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-