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TSM60NB1R4CH

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM60NB1R4CH
商品编号: C19856142
商品封装: TO-251(IPAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品特性

超结技术
因品质因数小而具备高性能
高耐用性
高换向性能
100%进行了非钳位感性负载（UIS）测试
无铅电镀
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准无卤
无铅
符合标准
无卤

应用领域

电源-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	3A
	导通电阻(RDS(on))	1.4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	28.4W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	7.12nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道