TSM60NB190CZ
TSM60NB190CZ
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- 商品型号
- TSM60NB190CZ
- 商品编号
- C19856141
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了较低的导通和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 超结技术
- 高性能,低 RDS(ON)*Qg 品质因数 (FOM)
- 高耐用性
- 100% 进行了单脉冲雪崩测试 (UIS)
- 高换向性能
- 无铅镀层
- 符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准,且符合 WEEE 指令 2002/96/EC
- 根据 IEC 61249-2-21 标准为无卤产品
应用领域
- 电源
- 交流/直流 LED 照明