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TSM60NB099CZ

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM60NB099CZ
商品编号: C19856135
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品特性

超结技术
高性能,低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积(品质因数FOM)
高耐用性
100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻Rg测试
符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,遵循报废电子电气设备指令WEEE 2002/96/EC
根据国际电工委员会标准IEC 61249-2-21实现无卤

应用领域

功率因数校正(PFC)级
服务器/电信电源
充电站
逆变器
电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	38A
	导通电阻(RDS(on))	99mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	298W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	62nC@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	123pF