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TSM4NB65CP

TSM4NB65CP

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商品型号
TSM4NB65CP
商品编号
C19856121
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))3.37Ω@10V
耗散功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13.46nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型-

商品特性

  • 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.42 Ω(典型值)
  • 易于控制栅极开关
  • 增强型:Vth = 2.7至3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.4 mA)

应用领域

-电源-照明

数据手册PDF