TSM4NB65CI
TSM4NB65CI
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- 商品型号
- TSM4NB65CI
- 商品编号
- C19856120
- 商品封装
- ITO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.37Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.46nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 549pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.42 Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.4 mA）
应用领域
- 开关稳压器