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CMB250N03实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMB250N03

1个N沟道 耐压:30V 电流:250A

描述
250N03是具有极高单元密度的N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
商品型号
CMB250N03
商品编号
C19725871
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.65克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)250A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V
耗散功率(Pd)200W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

CMSA90N03是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,采用极高的单元密度,具备低导通电阻(Rdson)和低栅极电荷特性。非常适合用于同步降压转换器应用。

商品特性

-驱动要求简单-开关速度快-导通电阻低

应用领域

-DC-DC和DC-AC转换器-大电流、高速开关-电机控制、音频放大器-螺线管和继电器驱动器

数据手册PDF