立创商城logo
购物车0
CMA40N20P实物图
  • CMA40N20P商品缩略图
  • CMA40N20P商品缩略图
  • CMA40N20P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMA40N20P

1个N沟道 耐压:200V 电流:40A

描述
MOS管,TO-3P,N沟道,耐压:200V,电流:40A,10V内阻:65mΩ,功率:260W,CISS(Typ):2700pF
商品型号
CMA40N20P
商品编号
C19725890
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.947778克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V
耗散功率(Pd)260W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)63nC@10V
输入电容(Ciss)2.7nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)325pF

商品概述

CMA40N20P采用先进的平面条纹DMOS技术和设计,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • DC-AC转换器
  • 开关电源
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF