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CMA40N20P
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
- 描述
- MOS管，TO-3P，N沟道，耐压：200V，电流：40A，10V内阻:65mΩ,功率：260W,CISS(Typ)：2700pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMA40N20P
- 商品编号
- C19725890
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.947778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品特性
- 120A、100V，VGS = 10 V时，RDS(on)（典型值） = 3.6 mΩ
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正