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CMS4953BDY
2个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4953BDY
- 商品编号
- C19725920
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V；60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) = 36mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 60mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器开关
- 同步整流器
- 负载开关
- DC/DC转换器
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