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CMD6N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:6A
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- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD6N50
- 商品编号
- C19725896
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
40N03是一款N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻和出色的开关特性，专为低压大电流应用而设计，如带同步整流器的DC/DC转换器。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-电源-不间断电源