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CMP162N04P
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
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- 描述
- 162N04P采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP162N04P
- 商品编号
- C19725876
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.829克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.71nF |
商品特性
- 20.0A、650V，RDS(on)(典型值) = 180 mΩ（VGS = 10 V时）
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正