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HST503
1个N沟道 耐压:100V 电流:172A
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- 描述
- 特性：120A, 100V, RDS(on)(Typ) = 3.6mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- HST503
- 商品编号
- C19725820
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.803克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 172A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 860pF |
商品概述
6N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 电源-不间断电源
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