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HST50N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 特性：50A，100V，RDS(on)(Typ)=13mΩ@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- HST50N10
- 商品编号
- C19725819
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品概述
AON6512-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AON6512-ES为无铅产品。
商品特性
- 30V，VGS = 10 V时，RDS(ON) = 1.15 mΩ（典型值）
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 1.5 mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换