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ESK150SH120AN

1200V、150A,双管IGBT模块

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:平面IGBT技术。 低饱和电压。 10μs短路电流。 低关断损耗。 正温度系数。 具有快速软反向恢复的续流二极管。应用:焊机/电源。 UPS/逆变器
商品型号
ESK150SH120AN
商品编号
C19724664
商品封装
螺栓安装​
包装方式
管装
商品毛重
302.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)200A
耗散功率(Pd)1.25kW
输出电容(Coes)1.25nF
正向脉冲电流(Ifm)300A
集射极饱和电压(VCE(sat))3.2V@150A,15V
属性参数值
栅极阈值电压(Vge(th))6.6V@3mA
栅极电荷量(Qg)1500nC
输入电容(Cies)12.6nF
开启延迟时间(Td(on))130ns
关断延迟时间(Td(off))300ns
反向恢复时间(Trr)120ns
反向传输电容(Cres)0.43nF

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