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MS1N250HGC0
无 耐压:2.5kV 电流:1A
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- 描述
- 超高压MOSFET
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS1N250HGC0
- 商品编号
- C19724671
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 291W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 116pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
1N65G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速本征二极管
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 高速开关
应用领域
- 高压电源
- 光伏逆变器
- 开关应用